Π­Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΉ Π΄Ρ€ΠΎΡΡΠ΅Π»ΡŒ Π½Π° ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΌ транзисторС: устройство ΠΈ настройка

Π Π΅Π·ΠΊΠΈΠ΅ скачки напряТСния Π² Π±ΠΎΡ€Ρ‚ΠΎΠ²ΠΎΠΉ сСти, Π²Ρ‹Π·Π²Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ Π½Π΅ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΎΠΉ Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° ΠΈΠ»ΠΈ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ потрСбитСлями, часто становятся ΠΏΡ€ΠΈΡ‡ΠΈΠ½ΠΎΠΉ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΈΠ· строя Ρ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ элСктроники. Π’Π½Π΅Π΄Ρ€Π΅Π½ΠΈΠ΅ элСктронного дроссСля, построСнного Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора, позволяСт эффСктивно ΡΠ³Π»Π°ΠΆΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ высокочастотныС ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ…ΠΈ ΠΈ ΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ°Ρ†ΠΈΠΈ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ Π½Π΅ способны ΡƒΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½Ρ‹Π΅ кондСнсаторы. Вакая схСма Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ ΠΊΠ°ΠΊ Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹ΠΉ Ρ„ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€, динамичСски измСняя своС сопротивлСниС Π² зависимости ΠΎΡ‚ потрСбляСмого Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, Ρ‡Ρ‚ΠΎ обСспСчиваСт ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅ Π΄Π°ΠΆΠ΅ Π² ΡΠΊΡΡ‚Ρ€Π΅ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… условиях эксплуатации.

Основная Π·Π°Π΄Π°Ρ‡Π° Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΡƒΠ·Π»Π° Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Π² Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ Ρ†Π΅ΠΏΠ΅ΠΉ питания для прСдотвращСния проникновСния ΡˆΡƒΠΌΠΎΠ² ΠΎΡ‚ ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ ΠΊ слаботочным устройствам. Π’ ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ ΠΎΡ‚ Π³Ρ€ΠΎΠΌΠΎΠ·Π΄ΠΊΠΈΡ… ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠ΅ΠΊ индуктивности, ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΉ транзистор Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ насыщСния ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°Π΅Ρ‚ ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ сопротивлСниСм, практичСски Π½Π΅ сниТая напряТСниС ΠΏΠΎΠ΄ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΎΠΉ. Однако ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π΅Π·ΠΊΠΎΠΌ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΈΠ»ΠΈ появлСнии высокочастотной ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅ΠΉ транзистор ΠΌΠ³Π½ΠΎΠ²Π΅Π½Π½ΠΎ Ρ€Π΅Π°Π³ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚, ограничивая ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ нарастания Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΈ Ρ„ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€ΡƒΡ сигнал.

ИспользованиС MOSFET-транзисторов Π² качСствС дроссСля стало стандартом Π² качСствСнных систСмах Π°ΡƒΠ΄ΠΈΠΎ-ΠΏΠΎΠ΄Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²ΠΊΠΈ Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»Π΅ΠΉ ΠΈ Π±ΠΎΡ€Ρ‚ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΊΠΎΠΌΠΏΡŒΡŽΡ‚Π΅Ρ€Π°Ρ…. ΠšΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²Ρ‹ΠΌ прСимущСством являСтся отсутствиС ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ насыщСния, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€Π½ΠΎ для Ρ„Π΅Ρ€Ρ€ΠΈΡ‚ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΊΠΎΠ»Π΅Ρ† ΠΏΡ€ΠΈ Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΡ… Ρ‚ΠΎΠΊΠ°Ρ…. ΠŸΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎ спроСктированный элСктронный Π΄Ρ€ΠΎΡΡΠ΅Π»ΡŒ способСн Π²Ρ‹Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊΠΈ Π΄ΠΎ 50-100 АмпСр Π±Π΅Π· ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΠΈ эффСктивности Ρ„ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ критичСски Π²Π°ΠΆΠ½ΠΎ для соврСмСнных транспортных срСдств с ΠΎΠ±ΠΈΠ»ΠΈΠ΅ΠΌ элСктроники.

ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ дСйствия Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ„ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€Π° Π½Π° MOSFET

Π€ΡƒΠ½Π΄Π°ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ элСктронного дроссСля ΠΎΡ‚ пассивного Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Π² способС управлСния сопротивлСниСм. Π’ классичСской схСмС ΠΈΠ½Π΄ΡƒΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ создаСтся ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½Ρ‹ΠΌ ΠΏΠΎΠ»Π΅ΠΌ ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠΈ, Ρ‚ΠΎΠ³Π΄Π° ΠΊΠ°ΠΊ здСсь Ρ€ΠΎΠ»ΡŒ Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠ³ΠΎ элСмСнта ΠΈΠ³Ρ€Π°Π΅Ρ‚ ΠΊΠ°Π½Π°Π» ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора. Π£ΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅Π΅ напряТСниС Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅ формируСтся RC-Ρ†Π΅ΠΏΠΎΡ‡ΠΊΠΎΠΉ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ стабилизатором, заставляя транзистор ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΏΠ»Π°Π²Π½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΈΠΌΠΈΡ‚ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ большой индуктивности.

Когда Ρ‚ΠΎΠΊ Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ Ρ€Π΅Π·ΠΊΠΎ возрастаСт, кондСнсатор Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° Π½Π΅ успСваСт Π·Π°Ρ€ΡΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ ΠΌΠ³Π½ΠΎΠ²Π΅Π½Π½ΠΎ, ΠΈ транзистор открываСтся Π½Π΅ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ, создавая сопротивлСниС скачку Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ эффСкт инСрционности открытия ΠΈ являСтся ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²Ρ‹ΠΌ свойством, ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΌ ΠΎΡ‚ΡΠ΅ΠΊΠ°Ρ‚ΡŒ высокочастотныС ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ…ΠΈ. ΠŸΡ€ΠΈ ΡƒΡΡ‚Π°Π½ΠΎΠ²ΠΈΠ²ΡˆΠ΅ΠΌΡΡ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ транзистор ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚, ΠΈ ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния Π½Π° Π½Π΅ΠΌ составляСт лишь дСсятыС Π΄ΠΎΠ»ΠΈ Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π°, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠΌΠΈΠ·ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΠΈ мощности.

Π’Π°ΠΆΠ½ΠΎ ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ€ΠΎΠ»ΡŒ ΠΏΠ°Ρ€Π°Π·ΠΈΡ‚Π½Ρ‹Ρ… СмкостСй ΠΈ индуктивностСй ΠΌΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΆΠ°, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ Π² Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… схСмах ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΡΡ‹Π³Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ Ρ€ΠΎΠ»ΡŒ. Грамотная трассировка ΠΏΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠ»Π°Ρ‚Ρ‹ позволяСт ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ собствСнныС ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ MOSFET для усилСния Ρ„ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ эффСкта Π±Π΅Π· Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ². Однако чрСзмСрная ΠΈΠ½Π΄ΡƒΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ² ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ привСсти ΠΊ Π½Π΅ΠΆΠ΅Π»Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ выбросам напряТСния ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ.

⚠️ Π’Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅: ΠŸΡ€ΠΈ сборкС схСмы Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²Ρ‹Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ транзистора. НСсмотря Π½Π° Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ΅ сопротивлСниС Π² ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΎΠΌ состоянии, ΠΏΡ€ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°Ρ… ΡΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅ 20 АмпСр Π±Π΅Π· Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Π° ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΉ транзистор ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π³Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΈ Π²Ρ‹ΠΉΡ‚ΠΈ ΠΈΠ· строя.

Π‘Ρ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ с классичСскими LC-Ρ„ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€Π°ΠΌΠΈ

Π’Ρ€Π°Π΄ΠΈΡ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Π΅ Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ Π½Π° основС ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠ΅ΠΊ индуктивности ΠΈ кондСнсаторов ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ ряд ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΉ, особСнно Π² Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ сфСрС. Π‘ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠΈ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΡŽΡ‚ использования ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠ΅ΠΊ с массивным сСрдСчником, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ Π³Π°Π±Π°Ρ€ΠΈΡ‚Ρ‹ ΠΈ вСс устройства. Π­Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΉ Π΄Ρ€ΠΎΡΡΠ΅Π»ΡŒ Π½Π° ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΌ транзисторС Π²Ρ‹ΠΈΠ³Ρ€Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ Π² компактности ΠΈ позволяСт Π³ΠΈΠ±ΠΊΠΎ Π½Π°ΡΡ‚Ρ€Π°ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ характСристики Ρ„ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΠΎΠ² рСзисторов ΠΈ кондСнсаторов Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ управлСния.

ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Ρ„Π΅Ρ€Ρ€ΠΈΡ‚ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ дроссСли склонны ΠΊ Π½Π°ΡΡ‹Ρ‰Π΅Π½ΠΈΡŽ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΈ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³Π° Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, послС Ρ‡Π΅Π³ΠΎ ΠΈΡ… ΠΈΠ½Π΄ΡƒΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ€Π΅Π·ΠΊΠΎ ΠΏΠ°Π΄Π°Π΅Ρ‚, ΠΈ Ρ„ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€ пСрСстаСт Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ. ПолСвой транзистор лишСн этого нСдостатка: Π΅Π³ΠΎ сопротивлСниС Π² ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΎΠΌ состоянии Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎ зависит ΠΎΡ‚ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹, Π½ΠΎ Π½Π΅ тСряСт свойств Ρ„ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΏΡ€ΠΈ ростС Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. Π­Ρ‚ΠΎ Π΄Π΅Π»Π°Π΅Ρ‚ Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹Π΅ дроссСли ΠΈΠ΄Π΅Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ для питания усилитСлСй ΠΈ сабвуфСров.

Π‘Ρ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ схСмы Π½Π° MOSFET часто оказываСтся Π½ΠΈΠΆΠ΅, Ρ‡Π΅ΠΌ ΠΏΠΎΠΊΡƒΠΏΠΊΠ° качСствСнного ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ дроссСля Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»Π°. ΠŸΡ€ΠΎΡΡ‚ΠΎΡ‚Π° конструкции позволяСт ΡΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ эффСктивный Ρ„ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€ своими Ρ€ΡƒΠΊΠ°ΠΌΠΈ, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡ доступныС ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Ρ‹. Однако трСбуСтся Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Ρ‚Ρ‰Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ расчСт Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ°, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ вся энСргия ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ… рассСиваСтся Π½Π° транзисторС Π² Π²ΠΈΠ΄Π΅ Ρ‚Π΅ΠΏΠ»Π°.

ΠŸΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ LC-Π€ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€ (ΠšΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠ°) Π­Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΉ Π΄Ρ€ΠΎΡΡΠ΅Π»ΡŒ (MOSFET)
Π“Π°Π±Π°Ρ€ΠΈΡ‚Ρ‹ Π‘ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ΅ (зависят ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°) ΠœΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ (зависят ΠΎΡ‚ Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Π°)
НасыщСниС Π’ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ΅ ΠžΡ‚ΡΡƒΡ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΠ΅Ρ‚
ПадСниС напряТСния Зависит ΠΎΡ‚ сопротивлСния ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π° МинимальноС (Rds_on)
Частотный Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ ΠžΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π½ рСзонансом Π¨ΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΈΠΉ (Π΄ΠΎ сотСн ΠΊΠ“Ρ†)
Π‘Ρ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ Высокая для Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΡ… Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² Низкая
πŸ“Š Какой Ρ‚ΠΈΠΏ Ρ„ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ Π²Ρ‹ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚Π΅ Π² Π°Π²Ρ‚ΠΎΠ·Π²ΡƒΠΊΠ΅?
ΠšΠ»Π°ΡΡΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈΠΉ LC-Ρ„ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€
Π­Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΉ Π΄Ρ€ΠΎΡΡΠ΅Π»ΡŒ Π½Π° MOSFET
Волько кондСнсаторы
Штатная ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΊΠ° Π±Π΅Π· Π΄ΠΎΡ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΎΠΊ

Π’Ρ‹Π±ΠΎΡ€ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² для сборки схСмы

Π¦Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ элСмСнтом конструкции являСтся ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΉ транзистор, Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ опрСдСляСт ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ. Для Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… систСм с напряТСниСм 12-14 Π’ΠΎΠ»ΡŒΡ‚ ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ подходят N-ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ MOSFETΡ‹ с напряТСниСм пробоя Π½Π΅ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ 30-40 Π’ΠΎΠ»ΡŒΡ‚ ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ стока ΠΎΡ‚ 50 АмпСр. ΠŸΠΎΠΏΡƒΠ»ΡΡ€Π½Ρ‹Π΅ ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈ Π²Ρ€ΠΎΠ΄Π΅ IRF3205 ΠΈΠ»ΠΈ IRF1405 Π·Π°Ρ€Π΅ΠΊΠΎΠΌΠ΅Π½Π΄ΠΎΠ²Π°Π»ΠΈ сСбя ΠΊΠ°ΠΊ Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½Ρ‹Π΅ ΠΈ доступныС Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ.

Входная RC-Ρ†Π΅ΠΏΡŒ, Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰Π°Ρ Π·Π°Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΡƒ открытия, Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅Ρ‚ Ρ‚Ρ‰Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠΎΠ΄Π±ΠΎΡ€Π° Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΠΎΠ². РСзистор Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ заряда Смкости ΠΈ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΎΡ‚Π²Ρ€Π°Ρ‰Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΠ°Ρ€Π°Π·ΠΈΡ‚Π½Ρ‹Π΅ колСбания, Π° кондСнсатор Π·Π°Π΄Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΠΎΡΡ‚ΠΎΡΠ½Π½ΡƒΡŽ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ Ρ„ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ. ИспользованиС кСрамичСских кондСнсаторов с Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌ ESR (эквивалСнтным ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ сопротивлСниСм) обСспСчит Π»ΡƒΡ‡ΡˆΡƒΡŽ Ρ„ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€Π°Ρ†ΠΈΡŽ высокочастотных ΡˆΡƒΠΌΠΎΠ².

НС стоит Π·Π°Π±Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎ Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Π½Ρ‹Ρ… элСмСнтах, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… ΠΊΠ°ΠΊ стабилитрон ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ истоком. Он Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‰Π°Π΅Ρ‚ Ρ‚ΠΎΠ½ΠΊΠΈΠΉ оксидный слой Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° MOSFET ΠΎΡ‚ пробоя Π² случаС скачков напряТСния Π² Π±ΠΎΡ€Ρ‚ΠΎΠ²ΠΎΠΉ сСти. Π’Π°ΠΊΠΆΠ΅ рСкомСндуСтся ΡƒΡΡ‚Π°Π½ΠΎΠ²ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΎΡ…Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ схСмы, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΎΠ΅ Π·Π°ΠΌΡ‹ΠΊΠ°Π½ΠΈΠ΅ Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ элСктронного дроссСля ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ привСсти ΠΊ ΠΌΠ³Π½ΠΎΠ²Π΅Π½Π½ΠΎΠΌΡƒ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Ρƒ транзистора ΠΈΠ· строя.

β˜‘οΈ ΠŸΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠ° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄ сборкой

Π’Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½ΠΎ: 0 / 4

ΠœΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΆ ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΡ‹ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹

ΠšΠ°Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²ΠΎ ΠΌΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΆΠ° Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΌΡƒΡŽ влияСт Π½Π° ΡΡ„Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ элСктронного дроссСля. Π”Π»ΠΈΠ½Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π° ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π²Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ схСмы ΠΈ аккумулятором ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π²Ρ‹ΡΡ‚ΡƒΠΏΠ°Ρ‚ΡŒ Π² Ρ€ΠΎΠ»ΠΈ Π°Π½Ρ‚Π΅Π½Π½Ρ‹, принимая Π½Π°Π²ΠΎΠ΄ΠΊΠΈ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ транзистор Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΏΡ‹Ρ‚Π°Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΎΡ‚Ρ„ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Ρ‚ ΠΊ Π΅Π³ΠΎ Π½Π°Π³Ρ€Π΅Π²Ρƒ. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΡ‹ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ максимально ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΈΠΌΠΈ ΠΈ экранированными.

Π’Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠΎΡ‚Π²ΠΎΠ΄ являСтся критичСским ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠΌ. Π₯отя Π² статичСском Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ транзистор грССтся слабо, динамичСскиС ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈ Ρ„ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Ρ… ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΎΠ² ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ. ИспользованиС Π°Π»ΡŽΠΌΠΈΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹Ρ… Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ² с ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΡŒΡŽ повСрхности, ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΉ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ΅, ΠΎΠ±ΡΠ·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ. Π’ Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… случаях трСбуСтся ΠΏΡ€ΠΈΠ½ΡƒΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΎΠ±Π΄ΡƒΠ² ΠΈΠ»ΠΈ установка схСмы Π² мСстах с Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΈΠΌ СстСствСнным Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ Π²ΠΎΠ·Π΄ΡƒΡ…Π°.

ΠŸΡ€ΠΈ установкС Π² Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»Π΅ Π²Π°ΠΆΠ½ΠΎ ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Π²ΠΈΠ±Ρ€ΠΎΡƒΡΡ‚ΠΎΠΉΡ‡ΠΈΠ²ΠΎΡΡ‚ΡŒ конструкции. ΠšΡ€ΡƒΠΏΠ½ΠΎΠ³Π°Π±Π°Ρ€ΠΈΡ‚Π½Ρ‹Π΅ Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Ρ€Π°ΡΡˆΠ°Ρ‚Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ крСплСния транзистора, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Ρ‚ ΠΊ Π½Π°Ρ€ΡƒΡˆΠ΅Π½ΠΈΡŽ Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π° ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π³Ρ€Π΅Π²Ρƒ. ИспользованиС тСрмопасты высокого качСства ΠΈ Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΈΠΆΠΈΠΌΠ½Ρ‹Ρ… ΠΌΠ΅Ρ…Π°Π½ΠΈΠ·ΠΌΠΎΠ² Π³Π°Ρ€Π°Π½Ρ‚ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ Π΄ΠΎΠ»Π³ΠΎΠ²Π΅Ρ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΡƒΠ·Π»Π°.

⚠️ Π’Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅: Никогда Π½Π΅ оставляйтС элСктронный Π΄Ρ€ΠΎΡΡΠ΅Π»ΡŒ Π±Π΅Π· Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Π° ΠΏΠΎΠ΄ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΎΠΉ Π΄Π°ΠΆΠ΅ Π½Π° ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΎΠ΅ врСмя. ΠœΠ³Π½ΠΎΠ²Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π³Ρ€Π΅Π² кристалла ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ привСсти ΠΊ Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠΌΡƒ Ρ€Π°Π·Π³ΠΎΠ½Ρƒ ΠΈ Π²ΠΎΠ·Π³ΠΎΡ€Π°Π½ΠΈΡŽ.

РасчСт ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΠΈ Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Π°

ΠŸΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΡŒ Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Π° рассчитываСтся исходя ΠΈΠ· рассСиваСмой мощности. Для Π°Π»ΡŽΠΌΠΈΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹Ρ… Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ² Π² свободном ΠΊΠΎΠ½Π²Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΌ ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊΠ΅ принято Π±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ 10-15 см² Π½Π° 1 Π’Π°Ρ‚Ρ‚ рассСиваСмой мощности. ΠŸΡ€ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°Ρ… ΡΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅ 30А рСкомСндуСтся ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹ ΠΎΡ‚ ΠΊΠΎΠΌΠΏΡŒΡŽΡ‚Π΅Ρ€Π½Ρ‹Ρ… ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² ΠΈΠ»ΠΈ спСциализированныС ΠΏΡ€ΠΎΡ„ΠΈΠ»ΠΈ.

Диагностика ΠΈ поиск нСисправностСй

Π’ процСссС эксплуатации элСктронного дроссСля ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ½ΡƒΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΡ‹, связанныС с Π΄Π΅Π³Ρ€Π°Π΄Π°Ρ†ΠΈΠ΅ΠΉ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² ΠΈΠ»ΠΈ внСшними воздСйствиями. ΠŸΠ΅Ρ€Π²Ρ‹ΠΌ ΠΏΡ€ΠΈΠ·Π½Π°ΠΊΠΎΠΌ нСисправности часто становится ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ΠΏΠΎΠ΄ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΎΠΉ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΡƒΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ Π½Π° частичноС ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠ΅ транзистора ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ±ΠΎΠΉ. ΠŸΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠ° ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠΌ сопротивлСния ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ стоком ΠΈ истоком Π² Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠΌ состоянии Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Π° ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ Π±Π΅ΡΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ.

Если схСма грССтся Π΄Π°ΠΆΠ΅ Π±Π΅Π· ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ, Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ, присутствуСт Ρ‚ΠΎΠΊ ΡƒΡ‚Π΅Ρ‡ΠΊΠΈ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΆΠ΄Π΅Π½Π° изоляция. Π’ этом случаС Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ†Π΅ΠΏΡŒ управлСния Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ кондСнсаторы, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΎΠ½ΠΈ ΠΌΠΎΠ³Π»ΠΈ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΡΡ‚ΡŒ Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΎΠ±ΠΎΠΉ. НаличиС постороннСго высокочастотного Π³ΡƒΠ»Π° Π² аудиосистСмС Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΡΠ²ΠΈΠ΄Π΅Ρ‚Π΅Π»ΡŒΡΡ‚Π²ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎ Π½Π΅ΠΊΠΎΡ€Ρ€Π΅ΠΊΡ‚Π½ΠΎΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ Ρ„ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€Π°.

Для Π³Π»ΡƒΠ±ΠΎΠΊΠΎΠΉ диагностики рСкомСндуСтся ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ осциллограф, ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΠ² Π΅Π³ΠΎ ΠΊ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Ρƒ схСмы ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‰Π΅ΠΌ Π΄Π²ΠΈΠ³Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅. НаличиС ΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ°Ρ†ΠΈΠΉ частотой Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° ΠΈΠ»ΠΈ искрообразования ΡΠ²ΠΈΠ΄Π΅Ρ‚Π΅Π»ΡŒΡΡ‚Π²ΡƒΠ΅Ρ‚ ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ элСктронный Π΄Ρ€ΠΎΡΡΠ΅Π»ΡŒ Π½Π΅ справляСтся с Ρ„ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠ΅ΠΉ, ΠΈ трСбуСтся ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΡΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»Ρ‹ RC-Ρ†Π΅ΠΏΠΈ ΠΈΠ»ΠΈ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ кондСнсатора.

Часто Π·Π°Π΄Π°Π²Π°Π΅ΠΌΡ‹Π΅ вопросы

МоТно Π»ΠΈ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½Ρ‹ΠΉ биполярный транзистор вмСсто ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ?

ВСорСтичСски Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ, Π½ΠΎ нСцСлСсообразно. БиполярныС транзисторы ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ большСС ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния Π² ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΎΠΌ состоянии ΠΈ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΡŽΡ‚ постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹ для управлСния, Ρ‡Ρ‚ΠΎ сниТаСт ΠšΠŸΠ” схСмы. ПолСвой транзистор управляСтся напряТСниСм ΠΈ ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°Π΅Ρ‚ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ мСньшим сопротивлСниСм ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°.

Какой ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Π²Ρ‹Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ такая схСма?

ΠŸΡ€Π΅Π΄Π΅Π» ограничиваСтся Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ характСристиками Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ MOSFET ΠΈ качСством Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠΎΡ‚Π²ΠΎΠ΄Π°. Π‘ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹Π΅ транзисторы ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‚ ΡΠΎΠ±ΠΈΡ€Π°Ρ‚ΡŒ дроссСли Π½Π° Ρ‚ΠΎΠΊΠΈ 100А ΠΈ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅. Π’Π°ΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎ Ρ€Π°ΡΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ сСчСниС ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΎΠ² ΠΈ ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΡŒ Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Π°.

НуТСн Π»ΠΈ элСктронный Π΄Ρ€ΠΎΡΡΠ΅Π»ΡŒ для ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚ΠΎΡ„ΠΎΠ½Π°?

Для ΡˆΡ‚Π°Ρ‚Π½Ρ‹Ρ… Π³ΠΎΠ»ΠΎΠ²Π½Ρ‹Ρ… устройств ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΉ мощности это ΠΈΠ·Π±Ρ‹Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎ. Однако для ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Ρ… усилитСлСй, сабвуфСров ΠΈ систСм с Π΄ΠΈΠ½Π°ΠΌΠΈΡ‡Π½Ρ‹ΠΌ ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° такая Ρ„ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€Π°Ρ†ΠΈΡ сущСствСнно ΡƒΠ»ΡƒΡ‡ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ качСство Π·Π²ΡƒΠΊΠ° ΠΈ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹.

ВлияСт Π»ΠΈ схСма Π½Π° зарядку аккумулятора?

НСт, элСктронный Π΄Ρ€ΠΎΡΡΠ΅Π»ΡŒ устанавливаСтся Π² Ρ†Π΅ΠΏΡŒ питания ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ послС аккумулятора ΠΈΠ»ΠΈ основного распрСдСлитСля. Он Π½Π΅ прСпятствуСт зарядкС ΠΠšΠ‘ Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ, Π° лишь ΠΎΡ‡ΠΈΡ‰Π°Π΅Ρ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ, ΠΈΠ΄ΡƒΡ‰ΠΈΠΉ ΠΊ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ устройствам.