Π‘Ρ…Π΅ΠΌΡ‹ управлСния Π΄Π²ΠΈΠ³Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΌ постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ°: ΠΎΡ‚ Ρ‚Π΅ΠΎΡ€ΠΈΠΈ ΠΊ ΠΏΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠΊΠ΅

Π Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ° эффСктивной систСмы ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄Π° для элСктромобиля ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ станка всСгда начинаСтся с Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€Π° ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Π° ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΎΠΊ. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΡ‹ управлСния Π΄Π²ΠΈΠ³Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΌ постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ Ρ„ΡƒΠ½Π΄Π°ΠΌΠ΅Π½Ρ‚ΠΎΠΌ, ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΌ ΠšΠŸΠ” всСй систСмы, Π΅Ρ‘ Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈ ΡΠΏΠΎΡΠΎΠ±Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π²Ρ‹Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ динамичСскиС Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ. Π’ ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ ΠΎΡ‚ простых Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ, соврСмСнныС ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Ρ‹ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ слоТныС Π°Π»Π³ΠΎΡ€ΠΈΡ‚ΠΌΡ‹ для Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ позиционирования Π²Π°Π»Π° ΠΈ ΠΏΠ»Π°Π²Π½ΠΎΠ³ΠΎ измСнСния скорости вращСния.

Π˜Π½ΠΆΠ΅Π½Π΅Ρ€Π°ΠΌ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π΅ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΌΠΎΡ‚ΠΎΡ€Π°, Π½ΠΎ ΠΈ ΠΏΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Π΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠΈ, Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Π² ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚Ρ‹ запуска ΠΈΠ»ΠΈ Ρ€Π΅Π·ΠΊΠΎΠ³ΠΎ тормоТСния. Ошибки Π² расчСтС элСмСнтов силовой части ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ привСсти ΠΊ ΠΌΠ³Π½ΠΎΠ²Π΅Π½Π½ΠΎΠΌΡƒ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Ρƒ ΠΈΠ· строя дорогостоящих ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ², Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… ΠΊΠ°ΠΊ MOSFET ΠΈΠ»ΠΈ IGBT транзисторы. ИмСнно поэтому ΠΏΠΎΠ½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅ физичСских процСссов, ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅ΠΉ, критичСски Π²Π°ΠΆΠ½ΠΎ для создания Π΄ΠΎΠ»Π³ΠΎΠ²Π΅Ρ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ устройства.

Π’ Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΉ ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΠ΅ ΠΌΡ‹ Π΄Π΅Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎ Ρ€Π°Π·Π±Π΅Ρ€Π΅ΠΌ Ρ‚ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ силовых каскадов, особСнности Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€ΠΎΠ² ΠΈ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Ρ‹ Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Ρ‹, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ΡΡ Π² ΠΏΡ€ΠΎΡ„Π΅ΡΡΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ элСктроникС. Π’Ρ‹ ΡƒΠ·Π½Π°Π΅Ρ‚Π΅, ΠΏΠΎΡ‡Π΅ΠΌΡƒ простая схСма ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ эффСктивнСС слоТной Π² ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… условиях, ΠΈ ΠΊΠ°ΠΊΠΈΠ΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π² ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΡƒΡŽ ΠΎΡ‡Π΅Ρ€Π΅Π΄ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΎΡ‚Π»Π°Π΄ΠΊΠ΅ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΎΡ‚ΠΈΠΏΠ°.

Π‘Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΡ‹ ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΈ рСвСрсирования

Основная Π·Π°Π΄Π°Ρ‡Π° любой схСмы управлСния β€” это ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ постоянного напряТСния источника питания Π² ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΎΠ², ΠΏΠΎΠ΄Π°Π²Π°Π΅ΠΌΡ‹Ρ… Π½Π° ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠΈ двигатСля. Для Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ рСвСрса (измСнСния направлСния вращСния) Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ распространСнной являСтся топология, извСстная ΠΊΠ°ΠΊ H-мост. Она состоит ΠΈΠ· Ρ‡Π΅Ρ‚Ρ‹Ρ€Π΅Ρ… ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²Ρ‹Ρ… элСмСнтов, располоТСнных Π² Π²ΠΈΠ΄Π΅ Π±ΡƒΠΊΠ²Ρ‹"Н", Π³Π΄Π΅ Π΄Π²ΠΈΠ³Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ являСтся ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΡ‹Ρ‡ΠΊΠΎΠΉ посСрСдинС.

ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Π² ΠΏΠΎΠΎΡ‡Π΅Ρ€Π΅Π΄Π½ΠΎΠΌ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠΈ Π΄ΠΈΠ°Π³ΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΏΠ°Ρ€ транзисторов. Когда ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Π° лСвая вСрхняя ΠΈ правая ниТняя ΠΏΠ°Ρ€Π°, Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Ρ‚ Π² ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ, заставляя Π²Π°Π» Π²Ρ€Π°Ρ‰Π°Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΏΠΎ часовой стрСлкС. Для рСвСрса эти ΠΏΠ°Ρ€Ρ‹ Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ, ΠΈ послС ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‚Π²ΠΎΠ³ΠΎ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ½Ρ‹Π΅ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈ. ΠšΡ€ΠΈΡ‚ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈ Π²Π°ΠΆΠ½ΠΎ ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΡ‚ΡŒ"ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‚Π²ΠΎΠ΅ врСмя" (dead time) ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠ°Ρ€Ρ‹ ΠΈ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠ΅ΠΌ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΈΠ·Π±Π΅ΠΆΠ°Ρ‚ΡŒ сквозного Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΌΠ³Π½ΠΎΠ²Π΅Π½Π½ΠΎ Π·Π°ΠΌΡ‹ΠΊΠ°Π΅Ρ‚ источник питания Π½Π°ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΎ.

БущСствуСт нСсколько Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠΎΠ² Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ H-моста, ΠΊΠ°ΠΆΠ΄Ρ‹ΠΉ ΠΈΠ· ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ свои прСимущСства. Π’ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ Sign-Magnitude ΠΎΠ΄Π½Π° сторона моста ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ с высокой частотой (ШИМ), Π° другая остаСтся статичной, Ρ‡Ρ‚ΠΎ сниТаСт ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΠΈ. Π’ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ Locked Anti-Phase всС Ρ‡Π΅Ρ‚Ρ‹Ρ€Π΅ транзистора ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ обСспСчиваСт Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠΈΠΉ ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΠΈΠΊ, Π½ΠΎ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ Π½Π°Π³Ρ€Π΅Π² ΠΈ ΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ°Ρ†ΠΈΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°.

⚠️ Π’Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅: Никогда Π½Π΅ допускайтС ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ открытия транзисторов, располоТСнных Π½Π° ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΈΠΊΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Π²Π΅Ρ‚Π²ΠΈ моста (Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, Π²Π΅Ρ€Ρ…Π½Π΅Π³ΠΎ Π»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈ Π½ΠΈΠΆΠ½Π΅Π³ΠΎ Π»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ). Π­Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Ρ‚ ΠΊ ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΎΠΌΡƒ Π·Π°ΠΌΡ‹ΠΊΠ°Π½ΠΈΡŽ источника питания ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠΌΡƒ Ρ€Π°Π·Ρ€ΡƒΡˆΠ΅Π½ΠΈΡŽ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅ΠΉ Π·Π° Π΄ΠΎΠ»ΠΈ миллисСкунды.

ΠŸΡ€ΠΈ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€Π΅ элСмСнтной Π±Π°Π·Ρ‹ для моста часто Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ°Π΅Ρ‚ Π΄ΠΈΠ»Π΅ΠΌΠΌΠ° ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ биполярными транзисторами ΠΈ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹ΠΌΠΈ. Для ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Ρ… систСм ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΏΠΎΡ‡Ρ‚ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π΅Π΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ MOSFET с Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌ сопротивлСниСм ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° Π² ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΎΠΌ состоянии Rds(on), Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΎΠ½ΠΈ ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°ΡŽΡ‚ Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠΈΠΌΠΈ частотными характСристиками ΠΈ мСньшими потСрями Π½Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅.

Π‘ΠΈΠ»ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈ ΠΈ Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€Ρ‹ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠ²

Π‘Π΅Ρ€Π΄Ρ†Π΅ΠΌ схСмы управлСния являСтся Π½Π΅ сам транзистор, Π° Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ обСспСчиваСт Π΅Π³ΠΎ ΠΊΠΎΡ€Ρ€Π΅ΠΊΡ‚Π½ΠΎΠ΅ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠ΅ ΠΈ Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠ΅. Π”Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€Ρ‹ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠ² Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½ΡΡŽΡ‚ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΡŽ согласования логичСских ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ΠΉ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π° (ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ 3.3Π’ ΠΈΠ»ΠΈ 5Π’) с напряТСниями, Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΡ‹ΠΌΠΈ для ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡ†Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ открытия силовых ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅ΠΉ (часто 10-15Π’).

ΠžΡΠΎΠ±ΡƒΡŽ ΡΠ»ΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ прСдставляСт ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π²Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΈΠΌΠΈ ΠΏΠ»Π΅Ρ‡Π°ΠΌΠΈ H-моста, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈΡ… ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»"ΠΏΠ»Π°Π²Π°Π΅Ρ‚" ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π·Π΅ΠΌΠ»ΠΈ. Для этого ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ΡΡ ΡΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ схСмы бутстрСпного питания ΠΈΠ»ΠΈ ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€Ρ‹ с трансформаторной развязкой. Π‘Π΅Π· ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ управлСния Π²Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΈΠΌ ΠΏΠ»Π΅Ρ‡ΠΎΠΌ MOSFET ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π² Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅, быстро ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π³Ρ€Π΅Π²Π°ΡΡΡŒ ΠΈ сгорая.

Π‘ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ нарастания Ρ„Ρ€ΠΎΠ½Ρ‚Π° ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ сигнала Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΌΡƒΡŽ влияСт Π½Π° ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ. Блишком ΠΌΠ΅Π΄Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠ΅ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠ΅ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ врСмя прСбывания транзистора Π² Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΉ Π·ΠΎΠ½Π΅, Π³Π΄Π΅ ΠΎΠ½ рассСиваСт ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ. Блишком быстроС β€” Π³Π΅Π½Π΅Ρ€ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Π΅ элСктромагнитныС ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ…ΠΈ ΠΈ выбросы напряТСния.

Π§Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ эффСкт ΠœΠΈΠ»Π»Π΅Ρ€Π°?

Π­Ρ„Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ ΠœΠΈΠ»Π»Π΅Ρ€Π° β€” это явлСниС, ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ стоком транзистора (Cgd) создаСт ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΡƒΡŽ связь, Π·Π°ΠΌΠ΅Π΄Π»ΡΡŽΡ‰ΡƒΡŽ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅. Для Π±ΠΎΡ€ΡŒΠ±Ρ‹ с Π½ΠΈΠΌ Π² Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€Π°Ρ… ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ ΡΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ формирования Ρ„Ρ€ΠΎΠ½Ρ‚Π°.

Π‘ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹Π΅ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€Ρ‹, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅ ΠΊΠ°ΠΊ сСмСйства ΠΎΡ‚ Infineon ΠΈΠ»ΠΈ Texas Instruments, часто Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‚ Π² сСбя Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Ρƒ ΠΎΡ‚ нСдозакрытия ΠΈ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΡŽ Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠ³ΠΎ тормоТСния. Π­Ρ‚ΠΎ позволяСт ΡƒΠΏΡ€ΠΎΡΡ‚ΠΈΡ‚ΡŒ схСмотСхнику ΠΈ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡΠΈΡ‚ΡŒ Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΡƒΠ·Π»Π°.

  • πŸ”Œ БутстрСпная схСма: Π‘Π°ΠΌΡ‹ΠΉ Π΄Π΅ΡˆΠ΅Π²Ρ‹ΠΉ способ питания Π²Π΅Ρ€Ρ…Π½Π΅Π³ΠΎ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°, Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ Π½Π°Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΉ.
  • ⚑ Π˜Π·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€: ΠžΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ Π³Π°Π»ΡŒΠ²Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΡƒΡŽ развязку, Π½ΠΎ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅Ρ‚ ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ источника питания для ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠΉ стороны.
  • πŸ›‘οΈ Π—Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Π° ΠΎΡ‚ UVLO: Π‘Π»ΠΎΠΊΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρƒ Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€Π°, Ссли напряТСниС питания ΡƒΠΏΠ°Π»ΠΎ Π½ΠΈΠΆΠ΅ ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³Π°, прСдотвращая Π½Π΅ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΠ΅ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠ΅ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°.

ШИМ-Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠ° скорости ΠΈ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ сигнала

Π¨ΠΈΡ€ΠΎΡ‚Π½ΠΎ-ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Π°Ρ модуляция (ШИМ) β€” это основной ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ рСгулирования срСднСй мощности, ΠΏΠΎΠ΄Π°Π²Π°Π΅ΠΌΠΎΠΉ Π½Π° Π΄Π²ΠΈΠ³Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ. ИзмСняя ΡΠΊΠ²Π°ΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΎΠ², ΠΌΡ‹ мСняСм срСднСС напряТСниС Π½Π° ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠ°Ρ…, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΌΡƒΡŽ влияСт Π½Π° ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ вращСния Π²Π°Π»Π°.

Частота ШИМ сигнала выбираСтся исходя ΠΈΠ· компромисса ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ΠΌ ΡˆΡƒΠΌΠ° ΠΈ потСрями Π² стали двигатСля. НизкиС частоты (Π½ΠΈΠΆΠ΅ 5 ΠΊΠ“Ρ†) ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π²Ρ‹Π·Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ ΡΠ»Ρ‹ΡˆΠΈΠΌΡ‹ΠΉ Π³ΡƒΠ» ΠΈ Π²ΠΈΠ±Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ, Π° слишком высокиС (Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ 40-50 ΠΊΠ“Ρ†) приводят ΠΊ росту динамичСских ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΡŒ Π² транзисторах ΠΈ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°Ρ…. ΠžΠΏΡ‚ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ΠΎΠΌ для Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²Π° ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΉ считаСтся 10-20 ΠΊΠ“Ρ†.

Π€ΠΎΡ€ΠΌΠ° Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠ°Ρ… ΠΏΡ€ΠΈ ШИМ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€. Для сглаТивания этих ΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ°Ρ†ΠΈΠΉ ΠΈ сниТСния Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ Π½Π° источник питания ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ кондСнсаторы большой Смкости, располоТСнныС максимально Π±Π»ΠΈΠ·ΠΊΠΎ ΠΊ силовым ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΠΌ.


// ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ настройки Ρ‚Π°ΠΉΠΌΠ΅Ρ€Π° для ШИМ (псСвдокод)

Timer_Config {

Frequency = 20000 Hz;

DutyCycle = 50%; // 50% заполнСния

Mode = Center_Aligned; // Π¦Π΅Π½Ρ‚Ρ€ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ для сниТСния Π³Π°Ρ€ΠΌΠΎΠ½ΠΈΠΊ

}

Π’Π°ΠΆΠ½ΠΎ ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΈΠ½Π΄ΡƒΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΎΠΊ двигатСля дСйствуСт ΠΊΠ°ΠΊ СстСствСнный Ρ„ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€, ΡΠ³Π»Π°ΠΆΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ. Однако ΠΏΡ€ΠΈ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΡ… ΠΎΠ±ΠΎΡ€ΠΎΡ‚Π°Ρ… ΠΈΠ»ΠΈ ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΉ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΡΡ‚Π°Π½ΠΎΠ²ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ прСрывистым, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅Ρ‚ особых Π°Π»Π³ΠΎΡ€ΠΈΡ‚ΠΌΠΎΠ² управлСния для прСдотвращСния Ρ€Ρ‹Π²ΠΊΠΎΠ².

πŸ“Š ΠšΠ°ΠΊΡƒΡŽ частоту ШИМ Π²Ρ‹ Ρ‡Π°Ρ‰Π΅ всСго ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚Π΅ Π² ΠΏΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚Π°Ρ…?
Π”ΠΎ 5 ΠΊΠ“Ρ† (для ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Ρ… ΠΌΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ²)
10-20 ΠΊΠ“Ρ† (станарт)
20-40 ΠΊΠ“Ρ† (Π±Π΅ΡΡˆΡƒΠΌΠ½Π°Ρ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°)
Π’Ρ‹ΡˆΠ΅ 100 ΠΊΠ“Ρ† (ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Ρ€Π°Π·Π²ΡƒΠΊ)

Π‘Ρ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΉ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… мостов

Π’Ρ‹Π±ΠΎΡ€ ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡ€Π΅Ρ‚Π½ΠΎΠΉ схСмотСхничСской Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ зависит ΠΎΡ‚ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΉ ΠΊ мощности, стоимости ΠΈ Π³Π°Π±Π°Ρ€ΠΈΡ‚Π°ΠΌ устройства. НиТС ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΎ сравнСниС основных ΠΏΠΎΠ΄Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ², ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Ρ… Π² соврСмСнной элСктроникС.

ΠŸΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ ДискрСтныС MOSFET Π˜Π½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ H-мосты ΠœΠΎΠ΄ΡƒΠ»ΠΈ IGBT
ΠœΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Π”ΠΎ 100А (с Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ) Π”ΠΎ 10А Π‘ΠΎΠ»Π΅Π΅ 500А
НапряТСниС Π”ΠΎ 1000Π’ Π”ΠΎ 60Π’ Π”ΠΎ 6500Π’
Π‘Ρ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ Низкая / БрСдняя Высокая Высокая
Π‘Π»ΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ сборки Высокая Низкая БрСдняя

ДискрСтныС элСмСнты ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‚ Π³ΠΈΠ±ΠΊΠΎ ΠΏΠΎΠ΄Π±ΠΈΡ€Π°Ρ‚ΡŒ характСристики ΠΏΠΎΠ΄ ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡ€Π΅Ρ‚Π½ΡƒΡŽ Π·Π°Π΄Π°Ρ‡Ρƒ, Π½ΠΎ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΡŽΡ‚ Ρ‚Ρ‰Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ трассирования ΠΏΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠ»Π°Ρ‚Ρ‹. Π˜Π½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅ ΠΊΠ°ΠΊ Ρ‡ΠΈΠΏΡ‹ сСрии L298 (ΡƒΡΡ‚Π°Ρ€Π΅Π²ΡˆΠΈΠ΅) ΠΈΠ»ΠΈ соврСмСнныС DRV ΠΎΡ‚ TI, ΠΈΠ΄Π΅Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ для ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΠΉ Ρ€ΠΎΠ±ΠΎΡ‚ΠΎΡ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΠΈ ΠΈ Π±Ρ‹Ρ‚ΠΎΠ²ΠΎΠΉ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΠΈ.

Для Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΉ, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, Π² тяговых ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄Π°Ρ…, Π±Π΅Π·Π°Π»ΡŒΡ‚Π΅Ρ€Π½Π°Ρ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹ ΠΌΠΎΠ΄ΡƒΠ»ΠΈ Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ IGBT. Они ΡΠΎΡ‡Π΅Ρ‚Π°ΡŽΡ‚ Π² сСбС высокоС Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ биполярных транзисторов ΠΈ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ΅ сопротивлСниС насыщСния, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π΄Π΅Π»Π°Π΅Ρ‚ ΠΈΡ… ΠΈΠ΄Π΅Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ для напряТСний Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ 600Π’.

⚠️ Π’Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅: ΠŸΡ€ΠΈ использовании ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… H-мостов строго слСдитС Π·Π° Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½Ρ‹ΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠΎΠΌ. МногиС ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹Π΅ корпуса (Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, SOIC ΠΈΠ»ΠΈ QFN) Π½Π΅ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ достаточной ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΠΈ для ΠΎΡ‚Π²ΠΎΠ΄Π° Ρ‚Π΅ΠΏΠ»Π° Π±Π΅Π· Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Π° ΠΈΠ»ΠΈ ΠΌΠ΅Π΄Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΠΈ Π½Π° ΠΏΠ»Π°Ρ‚Π΅.

Π—Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Π° ΠΈ диагностика Ρ†Π΅ΠΏΠΈ управлСния

НадСТная систСма управлСния Π΄Π²ΠΈΠ³Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΌ нСмыслима Π±Π΅Π· комплСкса Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Π½Ρ‹Ρ… ΠΌΠ΅Ρ…Π°Π½ΠΈΠ·ΠΌΠΎΠ². ΠŸΠ΅Ρ€Π²Ρ‹ΠΌ Ρ€ΡƒΠ±Π΅ΠΆΠΎΠΌ ΠΎΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ½Ρ‹ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ слуТит ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΎΡ…Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ ΠΈΠ»ΠΈ Π±Ρ‹ΡΡ‚Ρ€ΠΎΠ΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ автоматичСский Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ, рассчитанный Π½Π° Ρ‚ΠΎΠΊ Π½Π΅ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ номинального Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅Π³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° двигатСля.

Π‘ΠΎΠ»Π΅Π΅ слоТныС систСмы ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ ΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π½ΡƒΡŽ Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Ρƒ ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ. Для этого Π² Ρ†Π΅ΠΏΡŒ Π·Π΅ΠΌΠ»ΠΈ ΠΈΠ»ΠΈ источника питания Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ ΡˆΡƒΠ½Ρ‚ β€” ΠΏΡ€Π΅Ρ†ΠΈΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΉ рСзистор ΠΌΠ°Π»ΠΎΠ³ΠΎ сопротивлСния. ПадСниС напряТСния Π½Π° Π½Π΅ΠΌ ΠΏΡ€ΠΎΠΏΠΎΡ€Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ ΠΈ подаСтся Π½Π° ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ ΠΈΠ»ΠΈ АЦП ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π°.

Если Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ допустимый ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π», систСма Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Π° ΠΌΠ³Π½ΠΎΠ²Π΅Π½Π½ΠΎ (Π·Π° микросСкунды) Π·Π°Π±Π»ΠΎΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ сигналы. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΎΡ‚Π²Ρ€Π°Ρ‰Π°Π΅Ρ‚ Π²Ρ‹Π³ΠΎΡ€Π°Π½ΠΈΠ΅ транзисторов ΠΏΡ€ΠΈ Π·Π°ΠΊΠ»ΠΈΠ½ΠΈΠ²Π°Π½ΠΈΠΈ Π²Π°Π»Π° ΠΈΠ»ΠΈ ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΎΠΌ Π·Π°ΠΌΡ‹ΠΊΠ°Π½ΠΈΠΈ Π² ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠ°Ρ….

β˜‘οΈ ΠŸΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠ° систСмы Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Ρ‹

Π’Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½ΠΎ: 0 / 4

Π’Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π²Π°ΠΆΠ½Π° Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Π° ΠΎΡ‚ пСрСнапряТСний, Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π΅Π·ΠΊΠΎΠΌ Ρ‚ΠΎΡ€ΠΌΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΈ двигатСля (рСкупСрация). ЭнСргия, возвращаСмая Π΄Π²ΠΈΠ³Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΌ Π² ΡΠ΅Ρ‚ΡŒ, ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ΄Π½ΡΡ‚ΡŒ напряТСниС Π½Π° кондСнсаторах Ρ„ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€Π° Π΄ΠΎ критичСских Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΉ. Для сброса этой энСргии ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Ρ‚ΠΎΡ€ΠΌΠΎΠ·Π½Ρ‹Π΅ рСзисторы с ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΎΠΌ ΠΈΠ»ΠΈ ΡΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ схСмы"crowbar".

ΠŸΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈΠ΅ аспСкты ΠΌΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΆΠ° ΠΈ трассировки

Π”Π°ΠΆΠ΅ идСально рассчитанная схСма ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π½Π΅ Π·Π°Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ ΠΈΠ»ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π΅ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΈΠ·-Π·Π° ошибок Π² Ρ€Π°Π·Π²ΠΎΠ΄ΠΊΠ΅ ΠΏΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠ»Π°Ρ‚Ρ‹. Π‘ΠΈΠ»ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠΈ ΡΠΎΠ·Π΄Π°ΡŽΡ‚ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½Ρ‹Π΅ поля, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π½Π°Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΠ°Ρ€Π°Π·ΠΈΡ‚Π½Ρ‹Π΅ напряТСния Π² цСпях управлСния.

ΠšΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²ΠΎΠ΅ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΠΎ: ΠΏΡƒΡ‚ΠΈ протСкания Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΡ… Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² (ΠΎΡ‚ источника Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈ ΠΊ Π΄Π²ΠΈΠ³Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŽ ΠΈ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎ) Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ максимально ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΈΠΌΠΈ ΠΈ ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΈΠΌΠΈ. ΠŸΠ΅Ρ‚Π»Ρ, образованная этими ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ°ΠΌΠΈ, Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Π° ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΡΠ½ΠΈΠ·ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΈΠ½Π΄ΡƒΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ ΠΈΠ·Π»ΡƒΡ‡Π°Π΅ΠΌΡ‹Ρ… ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ….

ЗСмляныС ΠΏΠΎΠ»ΠΈΠ½Ρ‹ слСдуСт Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»ΡΡ‚ΡŒ Π½Π°"силовыС" ΠΈ"логичСскиС", соСдиняя ΠΈΡ… Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π² ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ΅ (ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ ΠΏΠΎΠ΄ источником питания ΠΈΠ»ΠΈ ΡˆΡƒΠ½Ρ‚ΠΎΠΌ). Π­Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΎΡ‚Π²Ρ€Π°Ρ‰Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π½ΠΈΠ΅ силовых Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Ρ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ логичСскиС Π·Π΅ΠΌΠ»ΠΈ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΌΠΎΠ³Π»ΠΎ Π±Ρ‹ Π²Ρ‹Π·Π²Π°Ρ‚ΡŒ Π»ΠΎΠΆΠ½Ρ‹Π΅ срабатывания Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€ΠΎΠ².

  • πŸ“ Врассировка: Π˜ΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠΉΡ‚Π΅ ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΈΠ΅ Π΄ΠΎΡ€ΠΎΠΆΠΊΠΈ ΠΈΠ»ΠΈ Π·Π°Π»ΠΈΡ‚Ρ‹Π΅ ΠΏΠΎΠ»ΠΈΠ³ΠΎΠ½Ρ‹ для силовых Ρ†Π΅ΠΏΠ΅ΠΉ.
  • πŸ”‹ ΠšΠΎΠ½Π΄Π΅Π½ΡΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹: Π Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ‰Π°ΠΉΡ‚Π΅ кСрамичСскиС кондСнсаторы Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ 100Π½Π€-1ΠΌΠΊΠ€ максимально Π±Π»ΠΈΠ·ΠΊΠΎ ΠΊ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°ΠΌ питания ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°.
  • 🌑️ Π’Π΅Ρ€ΠΌΠΎΡ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅: ΠŸΡ€Π΅Π΄ΡƒΡΠΌΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ‚Π΅ мСсто для установки Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ° Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ рядом с hottest-spot транзисторов.

Для сниТСния сопротивлСния ΠΈ индуктивности Π² соврСмСнных ΠΏΠ»Π°Ρ‚Π°Ρ… часто ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎΡΠ»ΠΎΠΉΠ½ΡƒΡŽ структуру, Π³Π΄Π΅ Ρ†Π΅Π»Ρ‹Π΅ слои Π²Ρ‹Π΄Π΅Π»Π΅Π½Ρ‹ ΠΏΠΎΠ΄ зСмлю ΠΈ ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅. Π­Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΡƒΠ»ΡƒΡ‡ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠΎΡ‚Π²ΠΎΠ΄ ΠΎΡ‚ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½ΠΈΡ… слоСв ΠΏΠ»Π°Ρ‚Ρ‹.

Часто Π·Π°Π΄Π°Π²Π°Π΅ΠΌΡ‹Π΅ вопросы (FAQ)

ΠšΠ°ΠΊΡƒΡŽ ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ частоту ШИМ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ для двигатСля?

Минимальная частота зависит ΠΎΡ‚ ΠΈΠ½Π΅Ρ€Ρ†ΠΈΠΈ двигатСля ΠΈ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ. ΠžΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ Π½Π΅ рСкомСндуСтся ΠΎΠΏΡƒΡΠΊΠ°Ρ‚ΡŒΡΡ Π½ΠΈΠΆΠ΅ 1-2 ΠΊΠ“Ρ†, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ Π΄Π²ΠΈΠ³Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ Π½Π°Ρ‡Π½Π΅Ρ‚ ΠΈΠ·Π΄Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒ ΡΠ»Ρ‹ΡˆΠΈΠΌΡ‹ΠΉ свист, Π° Ρ‚ΠΎΠΊ станСт прСрывистым, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π²Ρ‹Π·ΠΎΠ²Π΅Ρ‚ Π½Π΅Ρ€Π°Π²Π½ΠΎΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎΠ΅ Π²Ρ€Π°Ρ‰Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΈ Π½Π°Π³Ρ€Π΅Π².

ΠŸΠΎΡ‡Π΅ΠΌΡƒ Π³Ρ€Π΅ΡŽΡ‚ΡΡ транзисторы Π΄Π°ΠΆΠ΅ Π±Π΅Π· Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ Π½Π° Π²Π°Π»Ρƒ?

Π­Ρ‚ΠΎ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π²Ρ‹Π·Π²Π°Π½ΠΎ нСсколькими ΠΏΡ€ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π°ΠΌΠΈ: слишком высокоС напряТСниС питания (рост ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΡŒ), нСдостаточноС напряТСниС Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅ (транзистор Π½Π΅ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚), слишком низкая частота ШИМ ΠΈΠ»ΠΈ отсутствиС ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‚Π²ΠΎΠ³ΠΎ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ, Π²Π΅Π΄ΡƒΡ‰Π΅Π΅ ΠΊ сквозным Ρ‚ΠΎΠΊΠ°ΠΌ.

МоТно Π»ΠΈ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€ ΠΎΡ‚ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ производитСля с транзисторами Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠ³ΠΎ?

Π”Π°, это Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ, Ссли ΡΠΎΠ±Π»ΡŽΠ΄Π΅Π½Ρ‹ основныС ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹: напряТСниС питания Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€Π° Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠΌΡƒ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° транзистора, Π° Ρ‚ΠΎΠΊ Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€Π° Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ достаточным для быстрой пСрСзарядки Смкости Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ транзистора.

НуТСн Π»ΠΈ Π΄ΠΈΠΎΠ΄ ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π΄Π²ΠΈΠ³Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŽ, Ссли Π΅ΡΡ‚ΡŒ H-мост?

Π’ соврСмСнных MOSFET транзисторах ΡƒΠΆΠ΅ встроСн ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ Π΄ΠΈΠΎΠ΄ (body diode). Однако для Π±Ρ‹ΡΡ‚Ρ€ΠΎΠ΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΉ часто Π΄ΠΎΠ±Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ внСшниС Π΄ΠΈΠΎΠ΄Ρ‹ Π¨ΠΎΡ‚Ρ‚ΠΊΠΈ ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ стоку ΠΈ истоку, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΎΠ½ΠΈ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ мСньшСС ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния ΠΈ быстрСС, Ρ‡Ρ‚ΠΎ сниТаСт ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΈΠ½Π΄ΡƒΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΉ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ.